M29W128GL70N3E vs M29W128GH70N3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W128GL70N3E por Micron Technology y M29W128GH70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W128GL70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Flash | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,65 | $0,00 |
| Tipo de memoria | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| Organización de memoria | 16M x8 / 8M x16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Interfaz | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Boot Block Configuration | Bottom boot (GL suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 56-pin TSOP | 56-TSOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Automotive Qualification | Automotive grade ordering code (N3E) | — |
| Bus Width Mode | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tamaño de memoria | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |