M29W128GL70N3E vs M29W128GH70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70N3E от Micron Technology и M29W128GH70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron
M29W128GL70N3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W128GL70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Flash | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $8,65 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| Организация памяти | 16M x8 / 8M x16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) | 2.7 V to 3.6 V |
| Интерфейс | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Boot Block Configuration | Bottom boot (GL suffix) | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 56-pin TSOP | 56-TSOP |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Automotive Qualification | Automotive grade ordering code (N3E) | — |
| Bus Width Mode | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Статус RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Размер памяти | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |