M29W128GL70N3E vs M29W256GH70N3E Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W128GL70N3E por Micron Technology y M29W256GH70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W128GL70N3E | M29W256GH70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Flash | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,65 | $6,60 |
| Tipo de memoria | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 128 Mbit | 256 Mbit (32 MB) |
| Organización de memoria | 16M x8 / 8M x16 | 32M x 8 / 16M x 16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) | 3 V |
| Interfaz | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Boot Block Configuration | Bottom boot (GL suffix) | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulado | 56-pin TSOP | 56-TSOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Automotive Qualification | Automotive grade ordering code (N3E) | — |
| Bus Width Mode | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Ancho del bus de datos | — | 8/16 bit (BYTE# selectable) |
| Programming Type | — | Command-set program/erase, block organized |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI) |
| Product Longevity Program | — | No (per family data) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |