M29W128GL70N3E vs M29W256GH70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W128GL70N3E от Micron Technology и M29W256GH70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W128GL70N3E M29W256GH70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Flash Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,65 $6,60
Тип памяти NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 128 Mbit 256 Mbit (32 MB)
Организация памяти 16M x8 / 8M x16 32M x 8 / 16M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 3 V
Интерфейс Parallel Parallel (asynchronous)
Boot Block Configuration Bottom boot (GL suffix) —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 56-pin TSOP 56-TSOP
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Automotive Qualification Automotive grade ordering code (N3E) —
Bus Width Mode Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Статус RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Разрядность шины данных — 8/16 bit (BYTE# selectable)
Programming Type — Command-set program/erase, block organized
Common Flash Interface — Yes (CFI)
Product Longevity Program — No (per family data)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену