M29W400FT55N3E vs M29F400FT55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W400FT55N3E por Micron Technology y M29F400FT55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W400FT55N3E M29F400FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,80 $4,15
Tipo de memoria Flash - NOR Memory IC NOR Flash (Parallel)
Tamaño de memoria 4 Mbit —
Interfaz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) —
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Temperature Grade Automotive —
Encapsulado 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (512K x 8)
Tensión de alimentación — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Hojas de datos y recursos

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