M29W400FT55N3E vs M29F400FT55N3E2 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3E メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 生産中
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M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3E M29F400FT55N3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.80 $4.15
メモリタイプ Flash - NOR Memory IC NOR Flash (Parallel)
メモリサイズ 4 Mbit —
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) —
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
動作温度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Temperature Grade Automotive —
パッケージ 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
湿気感度レベル(MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 4 Mbit (512K x 8)
電源電圧 — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
MSLレベル — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

データシート&リソース

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