M29W400FT55N3F vs M29F400FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W400FT55N3F por Micron Technology y M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W400FT55N3F M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,92 $1,51
Tipo de memoria NOR Flash NOR Flash (SLC)
Tamaño de memoria 4 Mbit 4 Mbit
Interfaz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
Organización de memoria 4Mbit, block-organized, top boot block 256K x 16
Program/Erase Block erase, word/byte program —
Encapsulado 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Hojas de datos y recursos

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