M29W400FT55N3F vs M29F400FT55N3F2 比較

詳細な並列比較: M29W400FT55N3F メーカー: Micron Technology および M29F400FT55N3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W400FT55N3F M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FT55N3F ✓ 生産中
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M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W400FT55N3F M29F400FT55N3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.92 $1.51
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash (SLC)
メモリサイズ 4 Mbit 4 Mbit
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Bus Configuration x8 / x16 (BYTE-selectable) —
メモリ構成 4Mbit, block-organized, top boot block 256K x 16
Program/Erase Block erase, word/byte program —
パッケージ 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: min operating temperature]
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5 V
Suspend/Resume Erase/program suspend and resume —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Prefix F in MPN Pb-free package suffix —
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

データシート&リソース

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