MCF5234CVM100 vs MCF5232CVM100 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MCF5234CVM100 por NXP Semiconductors y MCF5232CVM100 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MCF5234CVM100 MCF5234CVM100 - 100MHz ColdFire V2 MCU, 64KB SRAM | NXP

MCF5234CVM100 - 100MHz ColdFire V2 MCU, 64KB SRAM | NXP

MCF5234CVM100 Nrnd
NXP Semiconductors
MCF5232CVM100 MCF5232CVM100 - ColdFire V2 MPU, 100MHz, 196-LBGA | NXP

MCF5232CVM100 - ColdFire V2 MPU, 100MHz, 196-LBGA | NXP

MCF5232CVM100 Nrnd

Comparación de especificaciones

Parámetro MCF5234CVM100 MCF5232CVM100
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Microcontrollers Microcontrollers
Estado del ciclo de vida NRND NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $12,10 $19,20
Core Architecture ColdFire V2 (32-bit RISC, 4-stage pipeline) ColdFire V2 (32-bit RISC)
Core Frequency 100 MHz 100 MHz
On-Chip SRAM 64 KB —
Flash / ROM ROMless (external bus) —
Operating Voltage 3.0 V to 3.3 V —
Encapsulado 256-ball MAPBGA (17x17 mm) 196-LBGA (MAP-BGA) 15x15 mm
Ethernet MAC 10/100 Mbps (FEC) 10/100 Mbps (FEC)
eTPU Channels 16 —
DMA Channels 4 x 32-bit —
UART / I2C / SPI / CAN 3 UARTs / 2 I2C / 1 QSPI / 1 CAN 2.0B —
External Bus 32-bit with chip-select logic —
Encryption Accelerator Hardware (DES/3DES/AES, family-dependent) Hardware-accelerated (integrated)
Temperatura de funcionamiento -40C to +85C (industrial) -40C to +85C (industrial)
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Estado del ciclo de vida NRND (Not Recommended for New Designs) NRND (Not Recommended for New Designs)
Nivel MSL 3 —
Performance — 125 Dhrystone 2.1 MIPS
On-chip SRAM — 64 KB
On-chip Cache — 8 KB I-cache / 8 KB D-cache (configurable)
On-chip ROM — ROMless
Enhanced Timer (eTPU) — 16 channels
DMA — 4-channel + external request/acknowledge
External Bus Interface — 32-bit (SRAM/ROM/Flash/DDR)
Tensión de alimentación — 1.5V core / 3.3V I/O (typical)
Estado RoHS — Compliant

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