MPC8308CVMAGD vs MPC8378ECVRANGA Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPC8308CVMAGD por NXP Semiconductors y MPC8378ECVRANGA por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPC8308CVMAGD MPC8308CVMAGD - PowerQUICC II Pro 400MHz e300 MPU | NXP

MPC8308CVMAGD - PowerQUICC II Pro 400MHz e300 MPU | NXP

MPC8308CVMAGD ✓ Activo
NXP Semiconductors
MPC8378ECVRANGA MPC8378ECVRANGA - PowerQUICC II Pro SoC, 800MHz | NXP

MPC8378ECVRANGA - PowerQUICC II Pro SoC, 800MHz | NXP

MPC8378ECVRANGA ✗ Fin de vida

Comparación de especificaciones

Parámetro MPC8308CVMAGD MPC8378ECVRANGA
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Microcontrollers Microcontrollers
Estado del ciclo de vida Activo Fin de vida
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $25,90 $65,40
Core Architecture PowerPC e300c3 Power Architecture e300c4s
Number of Cores 1 —
Ancho del bus de datos 32-bit 32-Bit
Maximum CPU Clock 400 MHz —
Operating Temperature (TJ) -40C to +105C —
Package Type MAPBGA-473 (19x19 mm, 0.8mm pitch) —
Recuento de pines 473 —
Lead Free Yes —
Tipo de montaje Surface Mount —
Process Technology 90 nm CMOS —
Core Supply Voltage (Vdd) 1.0 V (typical) —
I/O Supply Voltage 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V —
Memory Controller 16-bit DDR2 (up to 256 MB addressable) DDR1/DDR2 up to 400 MHz
Ethernet Interfaces 1x RGMII + 1x SGMII (10/100/1000 Mbps) —
USB Controller USB 2.0 Full-Speed Host/Device —
PCI Express 1x PCIe Endpoint 2 x PCI Express lanes
Security Engine DES/3DES/AES/SHA-1/MD5/RNG SEC 4.4 (IPsec/SSL)
Lifecycle Stage ACTIVE —
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Core Frequency — 800 MHz
Supply Voltage Core — 1.8 V
Supply Voltage DDR I/O — 2.5 V
Supply Voltage I/O — 3.3 V
Ethernet — 4 x 10/100/1000 Mbps
PCI — 2 x PCI
USB — 2 x USB 2.0 with PHY
SATA — 2 x SATA II
Encapsulado — 689-TEBGA II (31x31 mm, 1 mm pitch)
Temperatura de funcionamiento — -40C to +105C
Manufacturing Process — 0.09 µm CMOS

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