MPX2100GP vs MPX2010GP Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPX2100GP por NXP Semiconductors y MPX2010GP por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPX2100GP MPX2100GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2100GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2100GP ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MPX2100GP MPX2010GP
Marca NXP Semiconductors STMicroelectronics
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $10,40 $7,20
Pressure Type Vented Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 to 14.5 psi (0 to 100 kPa) 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure 58.02 psi (400 kPa) —
Tipo de salida Wheatstone Bridge (analog voltage, ratiometric) —
Full-Scale Span 40 mV typical at 10 V supply —
Offset 0 mV minimum at 0 kPa —
Tensión de alimentación 10 V typical (ratiometric) —
Maximum Operating Current 6 mA —
Port Size Male 0.19 in (4.93 mm) barbed tube —
Port Style Barbed Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge
Encapsulado 4-SIP Module (Unibody through-hole) —
Tipo de montaje Through-Hole Through-Hole (SIP)
Temperature Compensation On-chip, calibrated On-chip, calibrated
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Technology Silicon piezoresistive, MEMS —
Termination Style PCB (SIP pins) —
Estado RoHS unknown Compliant
Maximum Overload Pressure — [DATA_NEEDED: maximum overload pressure]
Sensitivity (Full-Scale Span) — 25 mV typical at 10 V excitation
Rango de tensión de salida — 0 mV to 25 mV (10 V supply)
Offset (Zero Pressure) — 0 mV nominal
Supply Voltage (Excitation) — 10 V DC typical (max per datasheet)
Corriente de alimentación — 6 mA DC typical
Response Time — 1 ms typical
Linearity — [DATA_NEEDED: linearity %FS]
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Storage Temperature Range — -40 C to +125 C
Encapsulado / Carcasa — 4-SIP Module (Case 344B-01)
Media Compatibility — Dry gases (silicone gel isolation)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización