MPXV5004G7U vs MPXV5004DP Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPXV5004G7U por NXP Semiconductors y MPXV5004DP por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPXV5004G7U MPXV5004G7U - 3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXV5004G7U - 3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXV5004G7U ✓ Activo
NXP Semiconductors
MPXV5004DP MPXV5004DP - 0-3.92kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5004DP - 0-3.92kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5004DP ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MPXV5004G7U MPXV5004DP
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,20 $7,40
Tipo de sensor Vented Gauge Pressure Sensor —
Operating Pressure Range 0 to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI) —
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
Tipo de salida Analog Voltage (ratiometric) Analog, Ratiometric to VCC
Rango de tensión de salida 1.0 V to 4.9 V 1.0 V to 4.9 V at 5 V supply
Tensión de alimentación 4.75 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Corriente de alimentación [DATA_NEEDED: typical supply current] 10 mA typical
Rango de temperatura de funcionamiento 0 C to +85 C (compensated) —
Accuracy [DATA_NEEDED: typical accuracy] ±1.5% Vfss typical (after auto-zero)
Response Time [DATA_NEEDED: response time] 1 ms typical
Pressure Port Female, 0.034 inch (0.86 mm) tube —
Encapsulado 8-DIP Module (14.22 mm) 8-BSOP (CASE 1351-01), 12.06 mm width
Tipo de montaje Through-Hole Surface Mount
Technology Piezoresistive, signal-conditioned —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Pressure Type — Differential (Dual Port, Same Side)
Pressure Range — 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI)
Port Type — Male Tube, 3.3 mm O.D., Dual Same-Side
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +85°C
Storage Temperature — -30°C to +100°C
Sensing Technology — Piezoresistive (MEMS strain gauge)
Signal Conditioning — On-chip amplified and calibrated

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