MPXV5004G7U vs MPXV5004DP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MPXV5004G7U por NXP Semiconductors e MPXV5004DP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MPXV5004G7U MPXV5004G7U - 3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXV5004G7U - 3.92kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPXV5004G7U ✓ Ativo
NXP Semiconductors
MPXV5004DP MPXV5004DP - 0-3.92kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5004DP - 0-3.92kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5004DP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MPXV5004G7U MPXV5004DP
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria Pressure Sensors Pressure Sensors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,20 $7,40
Tipo de sensor Vented Gauge Pressure Sensor —
Operating Pressure Range 0 to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI) —
Maximum Overpressure [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] —
Tipo de saída Analog Voltage (ratiometric) Analog, Ratiometric to VCC
Faixa de tensão de saída 1.0 V to 4.9 V 1.0 V to 4.9 V at 5 V supply
Tensão de alimentação 4.75 V to 5.25 V 4.75 V to 5.25 V (5 V typical)
Corrente de alimentação [DATA_NEEDED: typical supply current] 10 mA typical
Faixa de temperatura de operação 0 C to +85 C (compensated) —
Accuracy [DATA_NEEDED: typical accuracy] ±1.5% Vfss typical (after auto-zero)
Response Time [DATA_NEEDED: response time] 1 ms typical
Pressure Port Female, 0.034 inch (0.86 mm) tube —
Encapsulamento 8-DIP Module (14.22 mm) 8-BSOP (CASE 1351-01), 12.06 mm width
Tipo de montagem Through-Hole Surface Mount
Technology Piezoresistive, signal-conditioned —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Pressure Type — Differential (Dual Port, Same Side)
Pressure Range — 0 kPa to 3.92 kPa (0 to 0.57 PSI)
Port Type — Male Tube, 3.3 mm O.D., Dual Same-Side
Temperatura de operação — 0°C to +85°C
Storage Temperature — -30°C to +100°C
Sensing Technology — Piezoresistive (MEMS strain gauge)
Signal Conditioning — On-chip amplified and calibrated

Fichas técnicas e recursos

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