MRF6S19140HR5 vs MRF6S19140HSR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF6S19140HR5 por NXP Semiconductors y MRF6S19140HSR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF6S19140HR5 MRF6S19140HSR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $82,40 $25,40
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
Tipo de transistor N-Channel RF Power LDMOS RF Power LDMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V (max) 68 V
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Pulsed Drain Current (Id) 1.15 A —
Output Power (Pout) 29 W (CW or pulsed) 29 W
Operating Frequency 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Small-Signal Gain 16 dB (typical) —
Encapsulado / Carcasa NI-880H-2L ceramic flange NI-880S
Tipo de montaje Chassis / flange mount (bolt-down) Chassis Mount / Screw Clamp
Process Technology HV6 LDMOS —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free status] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Channel-to-Flange Thermal Resistance 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) —
Original Manufacturer — Freescale Semiconductor
Part Status — Active
Drain Current (Id) — 1.15 A
Frequency Range — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Power Gain (Gps) — 16 dB
Test Condition — Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C (junction)
ESD Protection — Yes (integrated)
Technology — HV6 LDMOS (later branded NXP HV6)

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