MRF8HP21080HR5 vs MRF8S21100HR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF8HP21080HR5 por NXP Semiconductors y MRF8S21100HR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF8HP21080HR5 MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 - 16W 2.17GHz RF Power LDMOS | NXP

MRF8HP21080HR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF8S21100HR5 MRF8S21100HR5 - 100W 2.17GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S21100HR5 - 100W 2.17GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF8S21100HR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF8HP21080HR5 MRF8S21100HR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $88,00 $61,75
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Tipo de transistor LDMOS, N-Channel, Dual (2 elements) N-Channel RF Power MOSFET
Configuration Common Source, 2 Elements —
Frequency 2.17 GHz (2110–2170 MHz cellular band) —
Test Voltage 28 V —
Test Current 150 mA 700 mA
Power Gain 14.4 dB at 2.17 GHz 18.3 dB at 2.17 GHz
Output Power (Avg.) 16 W (W-CDMA/LTE) —
Drain-Source Voltage Rating 65 V —
Encapsulado / Carcasa NI-780-4 (Case 465M) —
Tipo de montaje Flange Mount / Chassis Mount Surface Mount / Flange Mount
Number of Terminals 4 —
Technology W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET LDMOS (HV8 generation)
Surface Mount No (flange mount) —
Peak Reflow Temperature 260 C (not applicable - flange mount) —
Part Status (DigiKey) Discontinued at Digi-Key —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 65 V
Test Voltage (Drain) — 28 V
Frequency of Operation — 2.17 GHz (max, typical 2110-2170 MHz)
Output Power (P1dB / pulsed) — 100 W
Output Power (typical application) — 24 W
Encapsulado — NI-780H-2L (Case 465-06), 2-pin ceramic flange
Estado RoHS — RoHS Compliant
Operating Class — Class AB, Class C
Application — W-CDMA, LTE cellular base station

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