MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G4NAFR-PBC Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A1G8AG-062E por Micron Technology y H5AN8G4NAFR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A1G8AG-062E H5AN8G4NAFR-PBC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $3,55
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit —
Organización de memoria 1G x 8 2Gb x 4
Interfaz Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Encapsulado 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gb
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

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