MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G4NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN8G4NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8AG-062E H5AN8G4NAFR-PBC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $3,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 2Gb x 4
Interface Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gb
Interface Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V +/- 0.06 V
Wordline Pump Voltage (VPP) — 2.5 V (+0.25/-0.125 V)
Speed Bins (per datasheet) — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON)
Bank Groups — 4 (BG0-BG1)
Banks — 16 (4 bank groups x 4 banks)
Row Address — A0-A16 (17 bits)
Technology — CMOS
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (RoHS Compliant per datasheet)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin]
Geardown Mode Note — DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled

Fiches techniques et ressources

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