MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16JY-083E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16AD-062E por Micron Technology y MT40A512M16JY-083E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,20 | $5,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Interfaz | Parallel (POD) | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Velocidad de datos | — | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| Sin halógenos | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |