MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16JY-083E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16AD-062E par Micron Technology et MT40A512M16JY-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,20 | $5,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| Taille de mémoire | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel (POD) | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Débit de données | — | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| Sans halogène | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |