MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16TB-062E:R Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16AD-062E por Micron Technology y MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,20 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Interfaz | Parallel (POD) | Parallel |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Tensión de alimentación | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 MT/s |
| Latencia CAS | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |