MT40A512M16AD-062E vs MT40A512M16TB-062E:R Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16AD-062E от Micron Technology и MT40A512M16TB-062E:R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ АктивенMicron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT40A512M16AD-062E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $9,20 | $60,00 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| Интерфейс | Parallel (POD) | Parallel |
| Корпус | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Скорость передачи данных | — | 3200 MT/s |
| Задержка CAS | — | 22 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Разрядность шины данных | — | 16 bits |
| Refresh Time | — | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Особенности | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |