MT40A512M16JY-07EAIT:B vs MT40A512M16LY-075 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology y MT40A512M16LY-075 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Activo
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MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16LY-075
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $27,89
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit —
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Velocidad de datos 2666 MT/s DDR4-2666
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interfaz Parallel —
Encapsulado 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +105°C (AIT grade) 0°C to +95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Density — 8 Gbit
Clock Speed — 1.33 GHz
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Tipo de montaje — Surface Mount

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