MT40A512M16JY-07EAIT:B vs MT40A512M16LY-075 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology et MT40A512M16LY-075 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16LY-075
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,10 $27,89
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Débit de données 2666 MT/s DDR4-2666
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel —
Boîtier 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Plage de température de fonctionnement -40°C to +105°C (AIT grade) 0°C to +95°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant —
Density — 8 Gbit
Clock Speed — 1.33 GHz
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Type de montage — Surface Mount

Fiches techniques et ressources

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