MT40A512M16TB-062E:J vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:J por Micron Technology y MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ ActivoMicron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E:J | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,10 | $8,10 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.33 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | — | 2666 MT/s |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Interfaz | — | Parallel |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |