MT40A512M16TB-062E:J vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:J par Micron Technology et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:J | MT40A512M16JY-07EAIT:B |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $8,10 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.33 GHz |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to 95°C | -40°C to +105°C (AIT grade) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Débit de données | — | 2666 MT/s |
| VPP Voltage | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| Interface | — | Parallel |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Qualified (AIT suffix) |
| RoHS | — | Compliant |