MT40A512M16TB-062E:J vs NT5AD512M16B4-HR Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:J por Micron Technology y NT5AD512M16B4-HR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16TB-062E:J ✓ Activo
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16TB-062E:J NT5AD512M16B4-HR
Marca Micron Technology Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $43,10
Tipo de memoria SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8Gbit (512M x 16) —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks each) —
Prefetch Architecture 8n-bit —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball TFBGA
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to 95°C —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Tipo de montaje Surface Mount —
Density — 8Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Tensión de alimentación — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Velocidad de datos — 3200 Mbps
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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