MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16JY-075E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology y MT40A512M16JY-075E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $30,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.33 GHz |
| Latencia CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |