MT40A512M16TB-062E:R vs MT40A512M16JY-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology et MT40A512M16JY-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:R | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $30,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | 1.33 GHz |
| Latence CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-FBGA (8x14) |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |