MT40A512M8RH-083E vs H5AN4G8NBJR-RDC Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M8RH-083E por Micron Technology y H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M8RH-083E H5AN4G8NBJR-RDC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,30 $2,95
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Industry Speed Grade DDR4-2400 —
Clock Rate 1.2 GHz —
Internal Banks 8 banks (2 groups of 4) —
Prefetch 8n-bit —
Refresh 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C) Auto-refresh and self-refresh
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
I/O Structure 1.2 V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die internal, adjustable generation —
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C —
Encapsulado 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm) 78-ball FBGA
FBGA Code D9TGG —
Marking Code D9TGG —
Data Strobe Preamble Programmable —
Estado RoHS Compliant Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table] —
Interfaz — DDR4 (Double Data Rate IV)
Tipo de montaje — Surface Mount
Tensión de alimentación — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Velocidad de datos — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

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