MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology y NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-107AAT:E | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,95 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V (DDR3L) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14mm) | TFBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 13 (typical) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |