MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107AAT:E 제조: Micron Technology 및 NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-107AAT:E | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.95 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V (DDR3L) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14mm) | TFBGA-96 |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 13 (typical) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |