MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-H9I Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology y H5TC4G63CFR-H9I por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9I H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9I ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-H9I
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,36 $7,20
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35 V
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
Número de pines 96 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latencia CAS 11 Programmable (11, 12, 13)
Density — 4 Gb
Organización de memoria — 256M x 16
I/O Voltage — 1.35 V
Velocidad de datos — 1866 Mbps (PC3-14900)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Number of Terminals — 96
Memory Width — 16 bits
Sin halógenos — Yes
RoHS Compliant — Yes
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Refresh Modes — Auto-refresh, Self-refresh

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