MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-H9I 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology 및 H5TC4G63CFR-H9I 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63CFR-H9I |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.36 | $7.20 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| 핀 수 | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| CAS 레이턴시 | 11 | Programmable (11, 12, 13) |
| Density | — | 4 Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| I/O Voltage | — | 1.35 V |
| 데이터 속도 | — | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Memory Width | — | 16 bits |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |