MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-H9J Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology y H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,36 | $6,00 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball TFBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| Latencia CAS | 11 | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Speed Grade | — | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |