MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16HA-125:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology y MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,19 | $3,10 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Velocidad de datos | 1600 MT/s | — |
| Latencia CAS | 11 | 13.75 ns |
| Encapsulado | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |