MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16TW-107 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology y MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Activo
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MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $16,00 $14,10
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Velocidad de datos 1866 MT/s —
Tensión de alimentación 1.35V 1.35 V
I/O Voltage 1.35V —
Latencia CAS 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
Encapsulado 96-FBGA (8x14mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C 0C to +95C (commercial :P grade)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Organización de memoria — 256M x 16
Interfaz — Parallel
Access Time — 20 ns
Ancho del bus de datos — 16 bit
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hojas de datos y recursos

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