MT41K256M16TW-107:P - SDRAM DDR3L de 4Gb a 933MHz | Micron
N.º de pieza: MT41K256M16TW-107:P ✓ Activo| Cant. | Precio unitario | Total |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19,42 |
| 10 | $18.5 | $185,00 |
| 100 | $17.6 | $1.760,00 |
| 500 | $16.8 | $8.400,00 |
| 1.000 | $16 | $16.000,00 |
MT41K256M16TW-107:P Descripción general
La SDRAM DDR3L (Double Data Rate 3 Low Voltage) es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona que opera a un voltaje más bajo (1,35V) en comparación con la DDR3 estándar (1,5V), lo que reduce el consumo de energía hasta en un 20% mientras mantiene un rendimiento similar. Forma parte de la familia DDR3, que utiliza señalización de doble velocidad de datos para transferir datos en ambos flancos del reloj, y se utiliza ampliamente en servidores, portátiles y sistemas embebidos. DDR3L es compatible con versiones anteriores de las ranuras DDR3, lo que la convierte en una opción versátil para actualizaciones y nuevos diseños.
Las características clave incluyen una densidad de 4Gbit, bus de datos de 16 bits, velocidad de reloj de 933 MHz y compatibilidad con la temporización DDR3L-1866 estándar JEDEC. El dispositivo incluye autorrefresco automático, precarga automática, nivelación de escritura, terminación dinámica en chip (ODT) y calibración ZQ, lo que garantiza la integridad de la señal y un funcionamiento fiable. Opera en un rango de temperatura de 0°C a +95°C, lo que lo hace adecuado para entornos comerciales e industriales.
Técnicamente, el MT41K256M16TW-107:P utiliza un proceso CMOS de alto rendimiento y presenta una latencia CAS programable de 11, 12, 13 y 14, con una longitud de ráfaga de 8 y burst chop de 4. Admite terminación en matriz (ODT) para mejorar la integridad de la señal e incluye una DLL para una alineación precisa del reloj. El dispositivo cumple con RoHS y no contiene plomo, cumpliendo con los estándares ambientales.
Las aplicaciones típicas incluyen computación de alto rendimiento, equipos de redes, automatización industrial y sistemas embebidos donde el bajo consumo y el alto ancho de banda son críticos. Su funcionamiento a 1,35V reduce la carga térmica, lo que lo hace ideal para diseños compactos y sensibles al consumo.
Al diseñar con este dispositivo, asegúrese de colocar condensadores de desacoplamiento adecuados cerca de los pines de alimentación y siga las pautas de diseño del datasheet para minimizar los problemas de integridad de la señal. El dispositivo requiere una alimentación estable de 1,35V y una terminación cuidadosa de las líneas de dirección/control.
Alternativas directas para MT41K256M16TW-107:P — mismo encapsulado, compatible pin a pin. Se excluyen las piezas de otro encapsulado que requieren retrabajo de la PCB.
Variantes de esta serie
Modelos de la misma serie compatibles directamente con MT41K256M16TW-107:P (mismo factor de forma y huella) — difiere en Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
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MT41K256M16TW-107IT:P
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MT41K256M16TW-107AIT:P
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MT41K256M16HA-125XIT:E
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K4B4G1646D-BYMA
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AS4C256M16D3LC-10BCN
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MT41K256M16TW-107:P Valores máximos y características eléctricas
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| Latencia CAS | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
Configuración de pines de MT41K256M16TW-107:P
| Pin A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| Pin A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| Pin A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| Pin A4 | VSS — Ground |
| Pin B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| Pin B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| Pin B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| Pin B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| Pin C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| Pin C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| Pin C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| Pin C4 | VSS — Ground |
Aplicaciones típicas
MT41K256M16TW-107:P es adecuado para 6 aplicacións: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
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Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
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Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
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Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
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Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
Recomendado
Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
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Resumen de productos recomendados
Datos de referencia de ingeniería para MT41K256M16TW-107:P — comparación, orientación de diseño e información de cumplimiento.
Guía de selección
Comparación con alternativas
| Parámetro | Este producto | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
Diferenciadores clave
- Mayor velocidad de datos (1866 MT/s) en comparación con MT41K256M16HA-125XIT:E (1600 MT/s) (frente a MT41K256M16HA-125XIT:E)
- Menor voltaje (1,35V) en comparación con DDR3 estándar (1,5V) (frente a Piezas DDR3 estándar)
- Grado de temperatura industrial disponible (MT41K256M16TW-107IT:P) (frente a K4B4G1646D-BYMA)
Notas de diseño
El MT41K256M16TW-107:P requiere una alimentación estable de 1,35V. Utilice condensadores cerámicos de baja ESR (0,1uF y 1uF) colocados cerca de cada pin VDD y VDDQ para minimizar el rizado de voltaje. Asegúrese de que el plano de alimentación tenga baja impedancia en el rango de frecuencia de interés.
Siga las pautas de diseño del datasheet de Micron para el enrutamiento DDR3L. Iguale las longitudes de las pistas para las señales DQ, DQS y de dirección/control para mantener la integridad de la señal. Utilice pistas de impedancia controlada (típicamente 40-60 ohmios) y proporcione una terminación adecuada para las líneas de dirección/control.
El dispositivo opera hasta +95°C, pero asegure un flujo de aire o disipación de calor adecuados en sistemas de alta potencia. La alimentación de 1,35V reduce la disipación de potencia, pero en matrices de memoria densas, las vías térmicas debajo del encapsulado FBGA pueden ayudar a disipar el calor.
Información de cumplimiento
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
