NT5AD512M16C4-JR vs NT5AD512M16C4-HR Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology y NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Activo
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NT5AD512M16C4-HR NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-HR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-HR
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $73,75 $43,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organización de memoria 512M x16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Velocidad de datos 1.6 GHz (DDR4-3200) 1.333 GHz (DDR4-2666)
Encapsulado TFBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
RoHS Compliant Compliant
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Número de pines — 96

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