NT5CC256M16CP-DI vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DI por Nanya Technology y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16CP-DI | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Encapsulado | VFBGA-96 | VFBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | — |
| Interfaz | Differential clock (CK, CK#) | Differential clock (CK, CK#) |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | Yes (ODT) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4Gb |
| Velocidad de datos | — | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C (industrial) |
| Latencia CAS | — | 11, 12, 13 (programmable) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |