NT5CC256M16ER-EK vs MT41K256M16TW-107:P Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16ER-EK por Nanya Technology y MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16ER-EK | MT41K256M16TW-107:P |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,00 | $16,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V |
| Velocidad de datos | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1866 MT/s |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96-FBGA (8x14mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| tRCD | — | 20 ns |
| tRP | — | 20 ns |