SPW47N60C3 vs IPW60R041C6FKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de SPW47N60C3 por Infineon y IPW60R041C6FKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro SPW47N60C3 IPW60R041C6FKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,10 $5,40
Part Number SPW47N60C3 —
Manufacturer Infineon Technologies AG —
Technology CoolMOS C3 (superjunction) CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 650 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 47 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 415 W —
RDS(on) (typical) 70 mOhm [DATA_NEEDED: VGS test condition] —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: nanocoulombs] —
Output Capacitance Eoss @ 400V Very low (per C3 series datasheet) —
Encapsulado TO-247-3-1 (PG-TO247-3-1) through-hole PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical for CoolMOS C3) -55°C to +150°C
Configuration Single N-channel, 3 pins (G, D, S) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Nivel MSL N/A (through-hole) Not Applicable (Through-hole)
Series CoolMOS C3 (600V generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]

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