SR6G6C4 vs SR6G7C4 Comparación

Comparación detallada lado a lado de SR6G6C4 por STMicroelectronics y SR6G7C4 por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

STMicroelectronics
SR6G7C4 SR6G7C4 - High-Speed IGBT | STMicroelectronics

SR6G7C4 - High-Speed IGBT | STMicroelectronics

SR6G7C4 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro SR6G6C4 SR6G7C4
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoría Microcontrollers IGBTs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $28,80 $2,15
Core Architecture Arm Cortex-R52+ (4x) + Cortex-M4 (3x) —
Maximum Core Frequency 400 MHz —
Flash Memory 16 MB (2x 15 MB OTA X2) —
RAM 3.8 MB —
Functional Safety ASIL-D —
Virtualization Hardware-based —
Encapsulado BGA-292 (17x17 mm) TO-247
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Temperatura de funcionamiento -40°C to +125°C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Communication Interfaces CAN-FD, Ethernet, FlexRay —
Security Embedded security module —
Tensión de alimentación [DATA_NEEDED: Supply voltage range] —
Número de pines 292 —
Automotive Grade Yes (AEC-Q100) —
Collector-Emitter Voltage (Vces) — 600 V
Continuous Collector Current (Ic) — 30 A
Pulsed Collector Current (Icm) — 60 A
Saturation Voltage (Vce(sat)) — 1.8 V at 30 A
Gate-Emitter Voltage (Vge) — ±20 V
Disipación de potencia (Ptot) — 150 W
Switching Fall Time (tf) — 60 ns
Reverse Recovery Time (trr) — 80 ns
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Maximum Junction Temperature (Tj) — 175 °C
Thermal Resistance (RthJC) — 0.5 °C/W
Technology — Trench Field-Stop

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