SR6G6C4 vs SR6G7C4 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de SR6G6C4 par STMicroelectronics et SR6G7C4 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

STMicroelectronics
SR6G7C4 SR6G7C4 - High-Speed IGBT | STMicroelectronics

SR6G7C4 - High-Speed IGBT | STMicroelectronics

SR6G7C4 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre SR6G6C4 SR6G7C4
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Microcontrollers IGBTs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $28,80 $2,15
Core Architecture Arm Cortex-R52+ (4x) + Cortex-M4 (3x) —
Maximum Core Frequency 400 MHz —
Flash Memory 16 MB (2x 15 MB OTA X2) —
RAM 3.8 MB —
Functional Safety ASIL-D —
Virtualization Hardware-based —
Boîtier BGA-292 (17x17 mm) TO-247
Type de montage Surface Mount Through Hole
Température de fonctionnement -40°C to +125°C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Communication Interfaces CAN-FD, Ethernet, FlexRay —
Security Embedded security module —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: Supply voltage range] —
Nombre de broches 292 —
Automotive Grade Yes (AEC-Q100) —
Collector-Emitter Voltage (Vces) — 600 V
Continuous Collector Current (Ic) — 30 A
Pulsed Collector Current (Icm) — 60 A
Saturation Voltage (Vce(sat)) — 1.8 V at 30 A
Gate-Emitter Voltage (Vge) — ±20 V
Dissipation de puissance (Ptot) — 150 W
Switching Fall Time (tf) — 60 ns
Reverse Recovery Time (trr) — 80 ns
Gate Charge (Qg) — 120 nC
Maximum Junction Temperature (Tj) — 175 °C
Thermal Resistance (RthJC) — 0.5 °C/W
Technology — Trench Field-Stop

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis