TJ30S06M3L(T6L1 vs IRF4905PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de TJ30S06M3L(T6L1 por Toshiba y IRF4905PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro TJ30S06M3L(T6L1 IRF4905PBF
Marca Toshiba Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDSS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGSS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C -30 A —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 68 W —
RDS(ON) Max @ VGS=-10 V 21.8 mΩ —
RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V 16.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA —
Drain Leakage (IDSS) Max -10 µA @ VDS=-60 V —
Input Capacitance (Ciss) 3950 pF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C (Tj) -55 °C to +175 °C (junction)
Encapsulado DPAK+ (TO-252-3) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology U-MOS (Silicon P-Channel MOS) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Nivel MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

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