TJ30S06M3L(T6L1 vs IRF4905PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TJ30S06M3L(T6L1 par Toshiba et IRF4905PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TJ30S06M3L(T6L1 IRF4905PBF
Marque Toshiba Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,95
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDSS) -60 V —
Gate-Source Voltage (VGSS) +10 V / -20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C -30 A —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 68 W —
RDS(ON) Max @ VGS=-10 V 21.8 mΩ —
RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V 16.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA —
Drain Leakage (IDSS) Max -10 µA @ VDS=-60 V —
Input Capacitance (Ciss) 3950 pF —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +175°C (Tj) -55 °C to +175 °C (junction)
Boîtier DPAK+ (TO-252-3) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology U-MOS (Silicon P-Channel MOS) HEXFET (IR MOSFET)
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Niveau MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Fiches techniques et ressources

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