TPS54331DR vs NCP3170BDR2G Comparación
Comparación detallada lado a lado de TPS54331DR por Texas Instruments y NCP3170BDR2G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | TPS54331DR | NCP3170BDR2G |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | onsemi |
| Categoría | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,85 | $1,18 |
| Topología | Non-synchronous Buck (Step-Down) | Synchronous Buck (Step-Down) |
| Rango de tensión de entrada | 3.5 V to 28 V | 4.5 V to 18 V |
| Rango de tensión de salida | 0.8 V to 25 V (adjustable) | 0.8 V to VIN (adjustable) |
| Corriente de salida máxima | 3 A | — |
| Frecuencia de conmutación | 570 kHz (fixed) | 1 MHz (B suffix) |
| Control Method | Current mode with internal slope compensation | — |
| Light Load Feature | Eco-mode pulse skipping | — |
| Shutdown Supply Current | 1 uA | — |
| High-Side MOSFET | Integrated, low RDS(on) | — |
| Arranque suave | Adjustable via SS/TR pin | Internal |
| Protection Features | Overcurrent (cycle-by-cycle), thermal shutdown | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C (ambient); -40C to +150C (TJ) | — |
| Encapsulado | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width), D | 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Número de salidas | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Output Current | — | 3 A |
| Tensión de referencia | — | 0.8 V (internal) |
| Control Mode | — | Peak Current-Mode PWM |
| Internal Switches | — | High-side P-MOS + Low-side N-MOS |
| Salida Power Good | — | Yes (open-drain) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40 C to +85 C (TA) |
| Nivel MSL | — | 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) |
| Lead-Free | — | Yes |