TPS54331DR vs NCP3170BDR2G Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de TPS54331DR par Texas Instruments et NCP3170BDR2G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | TPS54331DR | NCP3170BDR2G |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | onsemi |
| Catégorie | DC-DC Converters | DC-DC Converters |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,85 | $1,18 |
| Topologie | Non-synchronous Buck (Step-Down) | Synchronous Buck (Step-Down) |
| Plage de tension d'entrée | 3.5 V to 28 V | 4.5 V to 18 V |
| Plage de tension de sortie | 0.8 V to 25 V (adjustable) | 0.8 V to VIN (adjustable) |
| Courant de sortie maximal | 3 A | — |
| Fréquence de commutation | 570 kHz (fixed) | 1 MHz (B suffix) |
| Control Method | Current mode with internal slope compensation | — |
| Light Load Feature | Eco-mode pulse skipping | — |
| Shutdown Supply Current | 1 uA | — |
| High-Side MOSFET | Integrated, low RDS(on) | — |
| Démarrage progressif | Adjustable via SS/TR pin | Internal |
| Protection Features | Overcurrent (cycle-by-cycle), thermal shutdown | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C (ambient); -40C to +150C (TJ) | — |
| Boîtier | 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width), D | 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de sorties | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Output Current | — | 3 A |
| Tension de référence | — | 0.8 V (internal) |
| Control Mode | — | Peak Current-Mode PWM |
| Internal Switches | — | High-side P-MOS + Low-side N-MOS |
| Sortie Power Good | — | Yes (open-drain) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40 C to +85 C (TA) |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) |
| Lead-Free | — | Yes |