UCC21521DWR vs UCC21540 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21521DWR por Texas Instruments y UCC21540 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21521DWR UCC21540
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,15 $1,85
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado SOIC-16 (DW) SOIC-16 (DW); DWK with 3.3-mm channel spacing
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Estado RoHS Compliant Compliant
Output Current (Peak Source) — 4 A
Output Current (Peak Sink) — 6 A
Number of Channels — 2
Secondary-Side UVLO — 8 V
Output-Side Supply Range (VDD) — 6.5 V to 18 V
Programmable Deadtime — Yes (DT pin)
Disable Pin — Yes (DIS)
Driven Devices — Power MOSFET, IGBT, GaN transistor
Channel-to-Channel Spacing (DWK) — 3.3 mm
Isolation Type — Reinforced / galvanic

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