UCC21521DWR vs UCC21540 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de UCC21521DWR par Texas Instruments et UCC21540 par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
UCC21521DWR UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521 - 4A/6A 5.7kVrms Isolated Gate Driver | TI

UCC21521DWR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre UCC21521DWR UCC21540
Marque Texas Instruments Texas Instruments
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $1,85
Channel Count 2 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 6 A —
Isolation Rating 5700 Vrms 5.7 kVRMS (reinforced)
CMTI 100 V/ns (minimum) —
Propagation Delay 19 ns (typical) —
Delay Matching 5 ns (maximum) —
Pulse-Width Distortion 6 ns (maximum) —
Minimum Pulse Width 10 ns —
Max Switching Frequency 5 MHz —
Isolation Technology Capacitive coupling Capacitive coupling
Input Threshold TTL and CMOS compatible (3.3 V logic) —
Enable / Disable Pin Yes (DIS) —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier SOIC-16 (DW) SOIC-16 (DW); DWK with 3.3-mm channel spacing
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configurations Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
Statut RoHS Compliant Compliant
Output Current (Peak Source) — 4 A
Output Current (Peak Sink) — 6 A
Number of Channels — 2
Secondary-Side UVLO — 8 V
Output-Side Supply Range (VDD) — 6.5 V to 18 V
Programmable Deadtime — Yes (DT pin)
Disable Pin — Yes (DIS)
Driven Devices — Power MOSFET, IGBT, GaN transistor
Channel-to-Channel Spacing (DWK) — 3.3 mm
Isolation Type — Reinforced / galvanic

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis