UCC21540QDWKRQ1 vs UCC21550Q-Q1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de UCC21540QDWKRQ1 por Texas Instruments y UCC21550Q-Q1 por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
UCC21550Q-Q1 UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | TI

UCC21550Q-Q1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro UCC21540QDWKRQ1 UCC21550Q-Q1
Marca Texas Instruments Texas Instruments
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,21 $2,10
Number of Channels 2 2
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling —
Isolation Voltage 5700 VRMS —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Channel-to-Channel Spacing 3.3 mm minimum (DWK package) —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Target Transistors Power MOSFET, IGBT, GaN Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT
Configuration Options Dual low-side, dual high-side, or half-bridge —
UVLO 8 V (secondary side) —
Automotive Qualification AEC-Q100 AEC-Q100 qualified (Q1)
Encapsulado 14-SOIC (DWK) 16-SOIC (DW)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento Wide temperature range (automotive) -40C to +150C
Estado RoHS Compliant Compliant
Product Type — Reinforced isolated dual-channel gate driver
Isolation Rating — 5000 Vrms (reinforced)
Isolation Technology — Capacitive coupling
Configurations — Dual low-side, dual high-side, or half-bridge
Programmable Dead Time — Yes (single resistor)
Disable Function — Yes
Tensión de alimentación — [DATA_NEEDED: VDD range]

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